
簡要描述:硅基納秒高速光衰減器1310nm具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應(yīng)速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級,達到100ns級,使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求,集成度有助于大
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 | 價格區(qū)間 | 1-500 | 
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 | 
| 波長 | 1260~1650nm | 
簡介
高速可調(diào)光衰減器具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應(yīng)速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級,達到100ns級,使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求,集成度有助于大幅度減小模塊尺寸,純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備可靠性。
特性 應(yīng)用
100ns級高速響應(yīng) 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調(diào)制
全固態(tài)波導(dǎo)芯片
超低光損耗
主要指標(biāo)(典型值)
性能指標(biāo)  | 單位  | 吸收型  | 備注  | 
工作波長  | nm  | 1525~1565  | |
響應(yīng)時間  | ns  | 100-300  | |
插入損耗  | dB  | 1.2  | 光纖進到光纖出的損耗  | 
衰減范圍  | dB  | 25  | |
偏振相關(guān)性  | dB  | ≤0.3  | @0dB衰減時  | 
≤0.5  | @0~25dB衰減時  | ||
功耗(@18dB衰減)  | mW  | 150  | 隨衰減量增大而增大  | 
電壓  | V  | 1.2  | |
電流  | mA  | 0-35  | |
集成度  | /  | 6CH/48CH  | 

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